特許
J-GLOBAL ID:200903098583515823

半導体レーザ装置および半導体レーザアレイおよび半導体レーザ装置の製造方法および送信モジュールおよびローカルエリアネットワークシステムおよび光データリンクシステムおよび光インターコネクションシステム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 植本 雅治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-334095
公開番号(公開出願番号):特開2002-141603
出願日: 2000年11月01日
公開日(公表日): 2002年05月17日
要約:
【要約】【課題】 波長多重分割方式の光伝送に適し、製造が容易であり、低消費電力であり、電気的に制御可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上に、電気的に励起される垂直共振器型面発光レーザAが形成され、垂直共振器型面発光レーザA上に、垂直共振器型面発光レーザAからのレーザ光で光励起されて垂直共振器型面発光レーザよりも長波長の光を放射するマイクロディスク構造またはマイクロシリンダ構造またはマイクロリング構造を有するマイクロキャビティレーザBが積層形成されている。
請求項(抜粋):
半導体基板上に、電気的に励起される垂直共振器型面発光レーザが形成され、垂直共振器型面発光レーザ上に、垂直共振器型面発光レーザからのレーザ光で光励起されて垂直共振器型面発光レーザよりも長波長の光を放射するマイクロディスク構造またはマイクロシリンダ構造またはマイクロリング構造を有するマイクロキャビティレーザが積層形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (5件):
H01S 5/04 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/40
FI (5件):
H01S 5/04 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/40
Fターム (12件):
5F073AA51 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA75 ,  5F073AB06 ,  5F073AB17 ,  5F073BA01 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073DA35 ,  5F073EA04

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