特許
J-GLOBAL ID：200903098585492138
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-064363
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275482
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】本発明は、共通の光源を用いて露光する際に、基本パターン及び周辺パターンの双方に対して焦点深度を改善することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】基本となる繰り返しパターンA及び周辺の繰り返しパターンBに対し、まずパターンAの周期性に対応して最適な光強度分布を得る最適光源として例えば2分割棒状光源SAを決定する。次いで、この2分割棒状光源SAに対して最適な光強度分布となるようにパターンBを補正し、パターンTBを作成する。そしてパターンA及びパターンTBを描画したマスクを用い、2分割棒状光源SAから部分コヒーレント光を斜入射照明して、露光・転写を行う。
請求項（抜粋）：
マスク上に基本となる繰返しパターンを作成し、前記基本となる繰返しパターンに対して、最適な光強度分布となるように光源の形状を決定し、前記光源の形状に対して最適な光強度分布となるように、前記マスク上に周辺の繰返しパターンを作成し、前記基本となる繰返しパターン及び前記周辺の繰返しパターンを描画した前記マスクを用い、前記光源から部分コヒーレント光を斜入射照明して露光することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
