特許
J-GLOBAL ID：200903098587058818
半導体位置検出素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 恒久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-156332
公開番号（公開出願番号）：特開平5-005619
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 PSD素子の近点側の分解能を上げる。【構成】 抵抗層(p-層)の比抵抗分布をある関数に従って、一端からの距離に比例して大となるよう設定する。【効果】 距離の逆数の2乗に比例する位置信号が得られる。
請求項（抜粋）：
光スポットが入射すると、入射位置に光エネルギーに比例した電荷が発生し、発生した電荷が光電流として抵抗層を通り電極より出力される半導体位置検出素子において、前記抵抗層の比抵抗の分布が、ある一定の関数に従って分布されていることを特徴とする半導体位置検出素子。
IPC (3件)：
G01C 3/06
, G01B 11/00
, H01L 31/16
