特許
J-GLOBAL ID：200903098589914614
半導体のエッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥井 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-329823
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140364
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】[目的] 比較的簡便なリアクティブ・イオン・エッチング法によって化合物半導体のエッチングを、オーバエッチングを生ずることなく高品質に行わせる。[構成] 化合物半導体のリアクティブ・イオン・エッチング方法において、1Pa以下のガス圧力にてエッチングを行うようにする。
請求項（抜粋）：
化合物半導体のリアクティブ・イオン・エッチング方法において、1Pa以下のガス圧力にてエッチングを行うことを特徴とする半導体のエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01S 3/083
, H01S 3/18
