特許

J-GLOBAL ID：200903098591058466

フォトマスク及びその製造方法

発明者： 安井 孝史
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-226852
公開番号（公開出願番号）：特開2006-047564
出願日： 2004年08月03日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】 複数回の露光工程を必要とする多層膜からなる位相シフトマスクにおいて電子ビームのスキャン跡が欠陥として残らないフォトマスク用アライメントマークを有するフォトマスクおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 フォトマスク用アライメントマークを用いてハーフトーン膜にパターニングされたアライメント用溝部を電子ビームによりスキャンした後、スキャン跡を除去するように電子ビーム露光を用いて遮光膜をパターニングすることにより位相シフトマスクを形成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板上に、第1のパターンを有するハーフトーン膜と、第2のパターンを有する遮光膜と、が積層されたフォトマスクであって、 前記遮光膜の前記第2のパターンを形成するためのアライメントマークを備え、 前記アライメントマークは、前記遮光膜を選択的に除去することにより露出された前記ハーフトーン膜のうちの一部を選択的に除去することにより設けられたアライメントパターンを有することを特徴とするフォトマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F1/08 N ,  H01L21/30 502P

Fターム (9件)：

2H095BA01 ,  2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB10 ,  2H095BB34 ,  2H095BC24 ,  2H095BE03 ,  2H095BE07 ,  2H095BE10