特許
J-GLOBAL ID：200903098593659092
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204986
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054841
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 精度の高いモードフィールド変換領域を備え、低閾値電流で横モード特性の安定な屈折率導波路構造の半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成される量子井戸活性層上のクラッド層を、屈折率導波路型のレーザ活性領域を規定する所定幅のストライプ部と、このストライプ部に連なってその幅が暫減するモードフィールド変換領域を規定するテーパ部からなるメサ構造として実現し、このストライプ部とテープ部とからなるメサ形状のクラッド層の下部領域を除く量子井戸活性層を、上記クラッド層の周囲の該量子井戸活性層上に設けたZnO/SiO2層を用いたZnの拡散により選択的に混晶化した後、上記ZnO/SiO2層を除去した素子構造とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に一対のクラッド層で挟まれた量子井戸活性層を成長させてなる半導体レーザ装置であって、前記量子井戸活性層上のクラッド層は、屈折率導波路型のレーザ活性領域を規定する所定幅のストライプ部と、このストライプ部に連なってその幅が暫減して前記レーザ活性領域に連なるモードフィールド変換領域を規定するテーパ部とからなり、前記ストライプ部とテーパ部とからなるクラッド層の下部領域を除く前記量子井戸活性層を、該量子井戸活性層上に設けたZnO/SiO2層を用いたZnの拡散により選択的に混晶化してなることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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