半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-287564
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129548
出願日： 1991年11月01日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】微細な面積で大きな蓄積容量が得られる半導体装置、およびその製造方法を提供する。【構成】一重の円柱状蓄積電極の周部の壁を波形にして実質的な電極面積を増大させる。波形の蓄積電極は、定在波効果により側壁が波形をした有機膜パターンを所望のレイアウトに形成する工程と、有機膜パターン上にCVD法により導電膜(導体ないし半導体膜)を形成する工程と、導電膜を異方的にエッチングして有機膜パターンの側壁に導電膜のサイドウォールを形成する工程と、有機膜パターンを除去して波形の導電膜の衝立を残す工程を含む。【効果】円柱状(王冠型)蓄積電極の壁の高さを増やすことなく、実質的な電極面積を増大させることができる。また、蓄積電極の衝立形成にホトレジストを用いているので、電極形成プロセスが簡単となり製造歩留まりが向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に側壁が波形をした有機膜のパターンを形成する第一の工程と、前記有機膜パターン上に化学気相成長法により導体膜ないし半導体膜を堆積する第二の工程と、前記導体ないし半導体膜を異方的にエッチングして、有機膜の側壁に導体ないし半導体膜のサイドウォールを形成する第三の工程と、前記有機膜を除去する第四の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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