特許

J-GLOBAL ID：200903098600389802

半導体発光素子アレイ

発明者： 小山 剛久
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151472
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338634
出願日： 1993年05月28日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】半導体結晶層を基板上に構成し、かつこの半導体結晶層を分離溝により分離して、発光素子を複数個形成した半導体発光素子アレイにおいて、電極設置面を平面化することで電極の形状を均一にして電極の電気抵抗のばらつきをなくし、発光出力の均一化を図ると共に、電極の断線等の欠陥を減少させて、製造歩留まりを向上させることを目的とする。【構成】 基板2上にバッファ層3、反射層4を形成し、その反射層4の上にクラッド層5、発光層6、クラッド層7、コンタクト層8を順次積層し、エッチングにより分離溝9を形成して発光素子10を分離させ、分離溝9にポリイミド樹脂11を充填する。電極14は、半導体結晶層上面、及びポリイミド樹脂11上面全体に、ほぼ平坦に形成されたSiN反射防止膜12上面を通って引き出されている。

請求項（抜粋）：

伝導型の異なる半導体結晶層で発光層を挟み込むように接合して基板上に積層した半導体結晶層を、分離溝によって分離して発光素子を複数個形成した半導体発光素子アレイにおいて、前記分離溝に樹脂を充填すると共に、前記複数の発光素子に接続する一方側の各々の電極を、前記樹脂上部を通って引き出したことを特徴とする半導体発光素子アレイ。