特許
J-GLOBAL ID：200903098601536310

半導体光増幅素子

発明者：
石川 卓哉

石川 卓哉 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-000447
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202348
出願日： 1994年01月07日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 2つの波長帯域の光を同時に増幅し、かつ偏波無依存である半導体光増幅素子を提供する。【構成】 この半導体光増幅素子は、基板の上に、下部クラッド層,量子井戸構造を有する活性層、および上部クラッド層がこの順序で積層され、上部クラッド層の上に上部電極が、また基板の裏側に下部電極が装荷され、かつ、光の入出射端面に無反射コーティング層が形成されている半導体光増幅素子において、活性層Aの量子井戸構造は、量子井戸層1と、量子井戸層1の上面および下面にそれぞれ接触して形成され、電子および重い正孔に対しては障壁として作用し、また軽い正孔に対しては量子井戸として作用する一対の中間障壁層2a,2bと、各中間障壁層2a,2bに接触して形成され、量子井戸層1を形成する半導体の禁制帯エネルギーよりも高い禁制帯エネルギーを有する半導体で形成された一対の障壁層3a,3bとから成る層構造またはその層構造を周期的に配列した層構造をなしている。活性層Aとクラッド層の間に光キャリア分離閉じ込め層を介装するとより好適である。
請求項（抜粋）：
基板の上に、下部クラッド層,量子井戸構造を有する活性層、および上部クラッド層がこの順序で積層され、前記上部クラッド層の上に上部電極が、また前記基板の裏側に下部電極が装荷され、かつ、光の入出射端面には無反射コーティング層が形成されている半導体光増幅素子において、前記活性層の量子井戸構造は、量子井戸層と、前記量子井戸層の上面および下面にそれぞれ接触して形成され、電子および重い正孔に対しては障壁として作用し、また軽い正孔に対しては量子井戸として作用する一対の中間障壁層と、前記各中間障壁層に接触して形成され、前記量子井戸層を形成する半導体の禁制帯エネルギーよりも高い禁制帯エネルギーを有する半導体で形成された一対の障壁層とから成る層構造またはその層構造を周期的に配列した層構造をなしていることを特徴とする半導体光増幅素子。
IPC (4件)：
H01S 3/18 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/68 ,  H01S 3/10
引用特許：
出願人引用 (10件)
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