特許

J-GLOBAL ID：200903098601602712

半導体装置

発明者： 鎌倉 將有 ,  富井 和志 ,  杉浦 義幸 ,  長浜 英雄 ,  萩原 洋右
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-043593
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242453
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 素子分離領域を跨いで高電位のドレイン電極を配線する場合においてもドレイン-ソース間の耐圧が低下することのない半導体装置を提供する。【解決手段】 素子形成領域4内の略中心にn+型ドレイン領域5が形成され、ドレイン電極12の下部及びその近傍を除いて、p+型素子分離領域3に接してn+型ドレイン領域5を囲むように素子形成領域4内にp型チャネル領域6を形成し、p型チャネル領域6及びp+型素子分離領域3内に内包されるように素子形成領域4内にn+型ソース領域7が形成されている。p型チャネル領域6とn+型ドレイン領域5との間と、ドレイン電極12の下部及びその近傍との素子形成領域4内にはp-型不純物領域8が形成され、p-型不純物領域8上の絶縁層11内には、容量結合するように導体層14が形成されている。そして、ドレイン電極12の下部及びその近傍の導体層14により形成された容量結合を、素子形成領域4の略中心側に偏らせている。

請求項（抜粋）：

第一導電型半導体基板と、該第一導電型半導体基板の一主表面上に形成され、表面から前記第一導電型半導体基板に到達するように形成された高濃度第一導電型素子分離領域及び前記第一導電型半導体基板により絶縁分離された第二導電型エピタキシャル層から成る素子形成領域と、該素子形成領域の表面に露出するように前記素子形成領域内の略中心に形成された高濃度第二導電型ドレイン領域と、該高濃度第二導電型ドレイン領域に電気的に接続され、前記高濃度第一導電型素子分離領域を跨いで他の前記素子形成領域に引き出されて成るドレイン電極と、該ドレイン電極の下部及びその近傍を除いて前記高濃度第二導電型ドレイン領域を囲むとともに前記高濃度第一導電型素子分離領域に隣接し、前記素子形成領域の表面に露出するように前記素子形成領域内に形成された第一導電型チャネル領域と、前記高濃度第一導電型素子分離領域及び第一導電型チャネル領域に内包され、前記素子形成領域の表面に露出するように前記素子形成領域内に形成された高濃度第二導電型ソース領域と、該高濃度第二導電型ソース領域と前記高濃度第二導電型ドレイン領域との間に介在する前記第一導電型チャネル領域上にゲート酸化膜を介して形成された絶縁ゲートと、該絶縁ゲートと電気的に接続されるように形成されたゲート電極と、前記素子形成領域の表面に露出するように前記第一導電型チャネル領域と前記高濃度第二導電型ドレイン領域との間と、前記ドレイン電極の下部及びその近傍との前記素子形成領域内に形成された前記第一導電型チャネル領域よりも低濃度の低濃度第一導電型不純物領域と、前記高濃度第二導電型ソース領域及び高濃度第一導電型素子分離領域と電気的に接続されるように形成されたソース電極と、前記素子形成領域上に形成された絶縁層と、前記低濃度第一導電型不純物領域上の前記絶縁層内に、容量結合するように形成された導体層とを有して成る半導体装置において、前記ドレイン電極の下部及びその近傍の前記導体層により形成された容量結合を、前記素子形成領域の略中心の高濃度第二導電型ドレイン領域側に偏らせるようにしたことを特徴とする半導体装置。