特許

J-GLOBAL ID：200903098602489146

導体の形成方法及び装置

発明者： 桜木 進
出願人/特許権者： 住友重機械工業株式会社
代理人 (1件)： 牧野 剛博 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-076672
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280710
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 高い付着強度を有する導体の形成方法及び装置を提供すること。【解決手段】 基板Wに対するシード層の高い付着強度を確保するために、Cu等の金属イオンをさらに高エネルギーで基板に衝突させる。これにより、シード層の付着強度を向上させることができる。具体的には、基板W上に成膜した膜厚100Å〜2000Åの下地層に可動式の電極であるフック部材64cを接触させ、下地層に-70V〜-250Vのバイアス電位を与え、プラスイオンであるCu+、Ar+等をこのバイアス電圧で加速させて下地層に入射させた。

請求項（抜粋）：

配線基板における導体の形成方法であって、絶縁体である樹脂材料上に、プラズマによってイオン化した配線材料の蒸発粒子を堆積して導電性の下地層を形成する第1工程と、前記下地層に所定のバイアス電圧を印加した状態で、当該下地層上に、プラズマによってイオン化した配線材料の蒸発粒子を含むイオンを入射させる第2工程とを備える導体の形成方法。

IPC (6件)：

H05K 3/14 ,  C23C 14/20 ,  C23C 14/32 ,  C23C 14/56 ,  H05K 3/38 ,  H05K 3/46

FI (8件)：

H05K 3/14 A ,  H05K 3/14 B ,  C23C 14/20 A ,  C23C 14/32 Z ,  C23C 14/56 G ,  H05K 3/38 B ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 Y

Fターム (34件)：

4K029BA08 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA03 ,  4K029CA13 ,  4K029DB03 ,  4K029DB17 ,  4K029DD05 ,  4K029EA01 ,  4K029KA02 ,  4K029KA03 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA39 ,  5E343BB24 ,  5E343BB71 ,  5E343DD24 ,  5E343DD43 ,  5E343ER23 ,  5E343FF16 ,  5E343GG02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA35 ,  5E346BB01 ,  5E346CC02 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346DD15 ,  5E346DD24 ,  5E346EE33 ,  5E346GG17 ,  5E346HH11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-307258
  
• 真空成膜装置における基板の冷却方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-074090   出願人：住友重機械工業株式会社