特許

J-GLOBAL ID：200903098603863874

透明導電積層体の製造方法

発明者： 坪井 誠治 ,  八幡 一雄 ,  原 寛
出願人/特許権者： 帝人株式会社
代理人 (1件)： 前田 純博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203213
公開番号（公開出願番号）：特開2001-026867
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 カールの小さい透明導電積層体を与える製造方法を提供する。【解決手段】 透明高分子フィルムの一方の片面に、珪素酸化物等の金属酸化物層、硬化樹脂層Aが順次接して設けられ、該高分子フィルムの他方の片面に硬化樹脂層Bが設けられてなる高分子積層フィルムにおける硬化樹脂層Aが設けられた面に、スパッタリング法により、成膜雰囲気中の水分と酸素の分圧比(H2O/O2)が0.05〜2.0の範囲で透明導電薄膜(ITO膜)を形成することにより、カールが小さく、かつ比抵抗及び耐熱性の良好な、液晶表示装置の透明電極基板として好適な透明導電積層体を製造する。

請求項（抜粋）：

高分子フィルムの一方の片面に金属酸化物層と硬化樹脂層Aとが順次積層され、該高分子フィルムの他方の片面に硬化樹脂層Bが積層されてなる高分子積層フィルムの硬化樹脂層Aが設けられた面に、スパッタリング法により、成膜雰囲気中の水分と酸素の分圧比(H2O/O2)を0.05〜2.0に保持して透明導電薄膜を形成することを特徴とする透明導電積層体の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  B32B 9/00 ,  H01B 13/00 503

FI (3件)：

C23C 14/34 M ,  B32B 9/00 A ,  H01B 13/00 503 B

Fターム (39件)：

4F100AA17B ,  4F100AA20B ,  4F100AA25E ,  4F100AA28E ,  4F100AA40E ,  4F100AH06C ,  4F100AH06D ,  4F100AK01A ,  4F100AK01C ,  4F100AK01D ,  4F100AK25 ,  4F100AK45A ,  4F100AT00A ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100CA02 ,  4F100EH66E ,  4F100EJ54 ,  4F100GB41 ,  4F100JB12C ,  4F100JB12D ,  4F100JB14C ,  4F100JB14D ,  4F100JG01 ,  4F100JG01E ,  4F100JL04 ,  4F100JN01 ,  4F100JN01E ,  4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA45 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029GA03 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05