特許
J-GLOBAL ID：200903098607615280
基板加熱装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215501
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055145
出願日： 1991年08月27日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 基板を均一温度に加熱でき、また加熱用のヒータの温度上昇が抑えられる、即ち消費電力が小さい分子線エピタキシ装置の基板加熱装置を提供する。【構成】 基板とヒータの間に、基板の径よりも小径、あるいは、サセプタに設けた円開口の径よりも小径の穴をもつふく射遮蔽用部材を設置し、基板中央部(大部分)はふく射遮蔽用部材の穴を通してヒータにより直接加熱することにより効率的に加熱し、かつサセプタにより支持される基板周辺部はふく射遮蔽用部材によりヒータからの熱量を抑えて過度の温度上昇を防ぐ。【効果】 基板の温度分布を均一とし、かつヒータ温度を低くすることができ、これによりエピタキシャル成長時に発生する基板表面の欠陥が減少でき、基板回転機構を含む基板加熱機構部の信頼性を向上できる。
請求項（抜粋）：
結晶のエピタキシャル成長面を重力方向にした基板を、該基板の縁部に接して支持する円開口を設けたサセプタと、該サセプタ上方に設置され前記基板を加熱するヒータとを備えた分子線エピタキシ装置の基板加熱装置において、前記基板と前記ヒータの間に該基板の外径より小さい径の穴を持つ輻射遮蔽用部材を設置したことを特徴とする基板加熱装置。
IPC (3件)：
H01L 21/203
, H01L 21/324
, H01L 21/68
