特許

J-GLOBAL ID：200903098608674018

半導体装置及びその製造方法

発明者： 元吉 真 ,  石原 整一 ,  北野 直樹 ,  橋本 毅 ,  野上 毅
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242191
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097105
出願日： 1992年09月10日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高アスペクト比であっても、接合リークの発生やコンタクト抵抗の増大等を抑制し、より微細化に適したコンタクト孔を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板1に対して略垂直に形成した下部コンタクト孔と、ラウンド形状を有し開口部が接続部より広い上部コンタクト孔とからなるコンタクト孔の内面に密着層26が形成されており、前記コンタクト孔下部には、前記密着層26を介して導電材料16が埋め込まれる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した下層配線上の層間絶縁膜にコンタクト孔を有し、当該コンタクト孔を介して前記下層配線と接続する上層配線を備えた半導体装置において、前記コンタクト孔は、半導体基板に対して略垂直に形成した下部コンタクト孔と、ラウンド形状を有し、開口部が接続部より広い上部コンタクト孔と、からなると共に、その内面に密着層が形成されてなり、且つ、前記上部コンタクト孔下端より下部には、前記密着層を介して導電材料が埋め込まれてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90