高温超伝導回路及びその作製方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：松本眞吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-258485
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076458
出願日： 2000年08月29日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】不要なIE接合や粒界接合が形成されるのを防止する。【解決手段】酸化物超伝導体薄膜11/層間絶縁膜12/酸化物超伝導体薄膜15の層間絶縁膜12にコンタクトホール13が形成され、絶縁膜12は、絶縁膜12Aと絶縁膜12Bとからなり、基板10側の超伝導体薄膜11に面した絶縁膜12Bのドライエッングレートは、超伝導体薄膜11のそれよりも大きく、超伝導体薄膜15に面した絶縁膜12Aのドライエッチングレートは、超伝導体薄膜15のそれと同等かそれより小さい。絶縁体基板10、絶縁膜12A及び16の材料はいずれもLaSrAlTaOXであり、超伝導体薄膜11、15及び18の材料はいずれもY1Ba2Cu3O7-dであり、絶縁膜12Bの材料はIn2O3である。

請求項（抜粋）：

絶縁体基板上に第1酸化物超伝導体薄膜、層間絶縁膜及び第2酸化物超伝導体薄膜がこの順に積層され、該層間絶縁膜にコンタクトホールが形成され、該コンタクトホール内を酸化物超伝導体が通って該第1酸化物超伝導体薄膜と第2酸化物超伝導体薄膜とを導通させている高温超伝導回路において、該層間絶縁膜は、該第1酸化物超伝導体薄膜に面した第1絶縁層と、該第2酸化物超伝導体薄膜に面した第2絶縁層とを有する2層以上の絶縁層で構成されており、該第1絶縁層のドライエッチングレートが該第1酸化物超伝導体薄膜のそれより大きく、該第2絶縁層のドライエッチングレートが該第2酸化物超伝導体薄膜のそれと同等かそれより小さい、ことを特徴とする高温超伝導回路。

IPC (4件)：

H01L 39/24 ZAA , H01L 21/316 , H01L 39/00 ZAA , H01L 39/22 ZAA

FI (4件)：

H01L 39/24 ZAA J , H01L 21/316 X , H01L 39/00 ZAA C , H01L 39/22 ZAA A

Fターム (20件)：

4M113AA00 , 4M113AA06 , 4M113AA16 , 4M113AA23 , 4M113AA37 , 4M113AD36 , 4M113AD42 , 4M113AD67 , 4M113AD68 , 4M113BA04 , 4M113BA08 , 4M113BB07 , 4M113BC04 , 4M113BC22 , 4M113CA34 , 5F058BA01 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BF11 , 5F058BG04

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