特許

J-GLOBAL ID：200903098617881026

多結晶半導体層の形成方法、多結晶半導体TFT、及びビームアニール装置

発明者： 増茂 邦雄 ,  欅田 昌也 ,  大井 好晴
出願人/特許権者： エイ・ジー・テクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-228429
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097141
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】高特性の多結晶半導体層を得る。【構成】連続発振Arイオンレーザ光の収束レーザビーム60Cを1000nmの膜厚、炭素含有度(原子密度)を5×1018cm以下とした非晶質シリコン薄膜に照射し、その照射面におけるビームスポットの滞留時間T60を3〜5μsとし、さらにビームスポットの走査方向の長さ1を50〜100μmとしたことを特徴とする多結晶半導体薄膜の形成方法。【効果】高速ビームアニール法において、電気的特性としては少なくとも25cm2 /V・sec以上の高移動度が得られ、また均一な多結晶半導体層のストライプが得られTFTによって駆動される大型の液晶表示装置を容易に形成することができる。

請求項（抜粋）：

連続発振レーザ光のビームスポットを、シリコンを主成分とする非晶質半導体薄膜に走査しながら照射し、ビームアニールによって非晶質半導体薄膜の多結晶化を行う多結晶半導体層の形成方法であって、非晶質半導体薄膜の膜厚を50〜250nmとし、非晶質半導体薄膜の炭素含有度(密度)を5×1018cm-3以下とし、ビームスポットを照射する非晶質半導体薄膜上で、ピーク光強度の60%以上の光強度を有するビームスポットS60の走査方向における滞留時間T60を3〜5μsとすることを特徴とする多結晶半導体層の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336