特許

J-GLOBAL ID：200903098620260083

可変減衰器

発明者： 天野茂
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016873
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218797
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 電界効果トランジスタを用いた可変減衰器において、歪特性の劣化を抑えることを目的とする。【構成】 信号の入出力端子間に電界効果トランジスタ3を並列接続し、ドレインのバイアス線を介してドレイン電圧を制御することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

高周波信号が入力する端子および出力する端子をもつ信号線と共通電位との間の経路に挿入された電界効果トランジスタと、この電界効果トランジスタのゲート電圧を制御する信号が通過する高抵抗値の抵抗とを備えた可変減衰器において、上記電界効果トランジスタのドレイン電圧を制御する信号が通過するインダクティブなバイアス線を備えたことを特徴とする可変減衰器。