特許
J-GLOBAL ID：200903098620487371
樹脂封止型半導体装置、その製造方法、半導体封止用樹脂シートおよび半導体封止用樹脂組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148487
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008179
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 耐リフロークラック性がすぐれ、かつ大型の半導体素子をも封止し得る信頼性の高い樹脂封止型半導体装置、その製造方法、および封止用樹脂素材の提供を目的とする。【構成】 外部リード構成体に実装された半導体素子2が封止用樹脂組成物の硬化物で封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、前記半導体素子2の裏面側領域もしくはベッド裏面側領域が貫通孔を有する樹脂多孔質体1で選択的に封止されていることを特徴とする。製造方法の一例は、空隙率が 0.5〜18%の貫通孔を有する樹脂多孔質体シート1′を金型内に配置する工程と、前記樹脂多孔質体シート1′面に、外部リード構成体に実装された半導体素子2の裏面もしくはベッド裏面を対向させて配置する工程と、前記金型内で封止用樹脂5′を成形・硬化させて、外部リード構成体に実装された半導体素子を樹脂封止する工程と、前記樹脂封止した外部リード構成体に実装された半導体素子を金型から取り出す工程とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
外部リード構成体に実装された半導体素子が封止用樹脂組成物の硬化物で封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、前記半導体素子の裏面側領域もしくはベッド裏面側領域が貫通孔を有する樹脂多孔質体で選択的に封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, B29C 45/02
, H01L 21/56
, B29C 31/04
, B29K105:20
, B29L 31:34
H01L 23/30 R
, B29C 45/02
, H01L 21/56 T
, B29C 31/04
