特許

J-GLOBAL ID：200903098623177780

半導体装置の製造方法

発明者： 小林 岳史
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201211
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028345
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 注入エネルギーの低下によらなくても基板表面近傍の浅い位置に不純物イオンを注入することができ、しかもその不純物イオンの注入を行う際の条件を効率良く決定できるようにする。【解決手段】 半導体装置を製造するのにあたって、プロセスシミュレーションによって少なくとも半導体装置の基板表面に形成するダミー層の厚さ、前記基板に注入する不純物イオンの注入エネルギーおよびそのドーズ量のうちのいずれか一つを決定する工程と、前記プロセスシミュレーションによる決定結果を基に前記基板表面にダミー層を形成してその上から不純物イオンを注入た後に当該ダミー層を除去する工程とを行う。

請求項（抜粋）：

プロセスシミュレーションによって少なくとも半導体装置の基板表面に形成するダミー層の厚さ、前記基板に注入する不純物イオンの注入エネルギーおよびそのドーズ量のうちのいずれか一つを決定する工程と、前記プロセスシミュレーションによる決定結果を基に前記基板表面にダミー層を形成してその上から不純物イオンを注入た後に当該ダミー層を除去する工程とを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

H01L 21/265 H ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/66 Z ,  H01L 21/265 Z

Fターム (7件)：

4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA03 ,  4M106BA20 ,  4M106CB01 ,  4M106CB02 ,  4M106DJ20