薄膜装置の製造方法、この方法により製造された磁気抵抗効果型ヘッドおよびこのヘッドを搭載した磁気記録再生装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-374772
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195022
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】狭ギャップの磁気ヘッド等の薄膜装置を提供することにより高速な転送速度で高出力を達成する。【解決手段】磁気抵抗効果膜11を所定厚で積層し、その上に高抵抗膜12を所定厚に積層し、高抵抗膜12の上に第1の薄膜21を積層し、この薄膜21を選択的にエッチングして所定間隔のギャップ22を形成し、ギャップを含む薄膜21の上部側から全面にわたって第2の薄膜23を積層し、その上から再度第1の薄膜21を積層した後、上面を平坦化してから第1の薄膜間に存在する第2の薄膜をエッチングして除去することにより前記第2の薄膜の膜厚に相当する狭ギャップを有するマスク20を製造し、このマスク20でエッチングして高抵抗膜12と磁気抵抗効果膜11を狭ギャップに相当する幅で除去し、少なくとも磁気抵抗効果膜の狭ギャップ内にバイアス膜13を形成し、その上から全面にわたり電極膜を積層してエッチングして引き出し電極層14を成膜する。

請求項（抜粋）：

少なくとも狭ギャップを有する薄膜装置の製造方法において、磁気抵抗効果特性を有する磁気抵抗効果膜を所定の厚さにより積層するプロセスと、上記磁気抵抗効果膜上に電気的に高抵抗を有する高抵抗膜を所定の厚さにより積層するプロセスと、積層された前記磁気抵抗効果膜と前記高抵抗膜の上に第1の薄膜を積層し、この第1の薄膜を選択的にエッチングして所定の間隔のギャップを形成し、このギャップを含む第1の薄膜の上部側から全面にわたって第2の薄膜を積層し、その上から再度第1の薄膜を積層した後、上面を平坦化してから第1の薄膜間に存在する第2の薄膜をエッチングして除去することにより前記第2の薄膜の膜厚に相当する狭ギャップを有する狭ギャップマスクを製造するプロセスと、上記狭ギャップマスクを用いて所定の条件下でエッチングを行ない前記高抵抗膜および磁気抵抗効果膜を前記狭ギャップに相当する幅で除去して前記磁気抵抗効果膜および高抵抗膜にも狭ギャップをそれぞれ形成するプロセスと、少なくとも前記磁気抵抗効果膜の狭ギャップ内にバイアス膜を形成し、前記狭ギャップが形成された前記高抵抗膜の上部側から全面にわたって電極膜を積層させてこれをエッチングすることにより前記高抵抗膜の狭ギャップよりこのギャップの上方の両側に電極部が残された引き出し電極層を成膜するプロセスと、を備えることを特徴とする薄膜装置の製造方法。

Fターム (8件)：

5D034BA02 , 5D034BA04 , 5D034BA08 , 5D034BA15 , 5D034BB02 , 5D034BB11 , 5D034DA05 , 5D034DA07

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