半導体集積回路装置および製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-338592
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202019
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】IGビットクラスの高い集積度のDRAM実現に必要な平坦性、寄生抵抗の低減、容量の確保および量産性を有する半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【構成】コンタクトホール内に、コンタクト金属(Ti)と一体となった容量電極金属(TiN)と、容量絶縁膜が積層された構造(TiO2 )が埋め込まれた構造の容量を有している。また、その電極金属が、イオン化蒸着等の指向性ビームを用いた蒸着で凹凸を表面に有している。

請求項（抜粋）：

半導体基板と電気的に接続した金属電極と、該金属電極表面に形成された容量絶縁膜を備えたことを特徴とするDRAM。

IPC (6件)：

H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 325 C , H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 J

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭60-072261
特開平3-136361
特開平3-023663

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