半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-220277
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029347
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】薄膜トランジスタの誘電体層内における電界集中を緩和し得るゲート構造を実現することである。【構成】薄膜トランジスタは、絶縁性基板あるいは絶縁層10の表面上に多結晶シリコンからなるゲート電極1を有する。ゲート電極の表面は誘電体層3aに覆われる。誘電体層3bの表面上には多結晶シリコン層8が形成され、この多結晶シリコン層8の中にソース・ドレイン領域が形成される。誘電体層はゲート電極1の表面を覆い、かつその上部表面が単一の平坦な面に形成されている。また、他の実施例では、誘電体層はゲート電極の側壁に位置する側壁絶縁層と、ゲート電極の表面および側壁絶縁層の表面を覆う絶縁層の2層構造を有している。

請求項（抜粋）：

絶縁層上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の上部表面上において所定の膜厚となるように前記ゲート電極の上部表面および側部表面を覆い、かつ単一の平坦な表面を有する誘電体層と、前記誘電体層の表面上に形成された半導体層と、前記半導体層において前記ゲート電極の上部に位置する領域に形成されたチャネル領域と、該チャネル領域の両側に位置する領域に形成された1対の導電領域とを備えた、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭57-042167
特開昭63-262875

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