特許

J-GLOBAL ID：200903098628742800

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 高橋 省吾
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-084949
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251830
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 簡単な工程でレーザチップの端面に部分的に高反射率の膜を成膜した半導体レーザ装置を得る。【構成】 レーザチップ11が特定位置に載置されたときに該レーザチップの端面の所望の位置に対向する位置に、その一側面からこれと対向する面にわたってスリット(切り欠き)40を形成した段差部75を備えたサブマウント70の上記特定位置に、その端面が上記スリット40に対向するようにレーザチップ11を載置し、上記レーザチップ11の端面上に、上記スリット40を通して高反射率の膜6を成膜するようにした。

請求項（抜粋）：

サブマウント上に載置されたレーザチップを有する半導体レーザ装置において、上記サブマウントの上記レーザチップが載置された面上に上記レーザチップの端面に対向して設けられた段差部と、上記段差部の上記レーザチップの端面の一部に対向する位置に、上記段差部の上記レーザチップの端面に対向する面からこれと対向する面にわたって設けられた切り欠き部あるいは開口と、上記レーザチップの端面上に上記切り欠きあるいは開口を通して成膜された高反射率の膜とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/12 ,  H01S 3/025

FI (2件)：

H01L 23/12 F ,  H01S 3/02 S