特許
J-GLOBAL ID：200903098629399246
半導体素子用複合ボンディングワイヤおよび半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早川 政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212799
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066235
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】線径を10μm以下、好ましくは1μm程度にまで極度に細線化でき、しかも断線等の問題が発生する恐れのない新規な構造のボンディングワイヤ、並びにその超極細ワイヤを用いてなる半導体装置を提供する。【構成】支持芯線1として線径1μmのポリエステル繊維を用い、この支持芯線1の周囲に無電解めっきで厚さ0.2 μmのAu被膜を形成してボンディングワイヤaを作製した。このボンディングワイヤaを用いて、半導体チップ3上の多数の電極4と、各電極4に対応せしめて形成した外部リード5とをウエッジボンディング法によりボンディングし、300ピンクラスのQFP構造の半導体装置を作製した。
請求項（抜粋）：
半導体素子における第1の位置と第2の位置とを電気的に接続するボンディングワイヤであって、抗張力の高い材質によって成形される支持芯線の周囲を金属導体で被覆してなることを特徴とする半導体素子用複合ボンディングワイヤ。
IPC (3件)：
H01L 21/60 301
, C23C 14/20
, C23C 18/42
