特許
J-GLOBAL ID：200903098631848864
電界効果型トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039712
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249775
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 特定の置換基を含むπ-共役系重合体を半導体層に用いることにより、オン・オフ比が大きい電界効果型トランジスタを提供する。【構成】 双極子モーメントの大きな特定の置換基を含むπ-共役系重合体を半導体層4に用いる。ゲート電圧が0Vのときはソース・ドレイン電極間の抵抗は低い。ゲート電極2に電圧を印加することにより、半導体層4内に電界を発生させ、双極子モーメントを持つ置換基に力を及ぼして重合体のコンフォメーションを変化させ、π電子共役をくずして低導電率化させる。このようにして、ゲート電圧によってソース・ドレイン間の電気伝導度を高いオン・オフ比で制御する。
請求項（抜粋）：
半導体層を具備する電界効果型トランジスタにおいて、前記半導体層が、-CHO、-COCH3 、-NO2 、-CNのいずれかの置換基を含むπ-共役系重合体を主な成分とすることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 311 B
, H01L 29/28
