半導体ウェーハの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上代哲司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-276523
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130685
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】ダイを搬送し、ボンディングするための好適な半導体ダイの製造方法に関する。【構成】ダイシングテープ41に付着される半導体ウェーハ1の表面に各種半導体デバイス5を形成し、その裏面6に金属膜4を形成する半導体ウェーハの製造方法であって、前記金属膜4を形成するに先立って、半導体ウェーハの裏面6を砥石21によって研削する工程と、この面6を化学エッチングする工程とを付加した方法である。

請求項（抜粋）：

ダイシングテープに付着される半導体ウェーハの表面に各種半導体デバイスを形成し、その裏面に金属膜を形成する半導体ウェーハの製造方法において、前記金属膜を形成するに先立って、半導体ウェーハの裏面を砥石によって研削する工程と、研削された面を化学エッチングする工程とを付加することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 321 , B24B 1/00 , H01L 21/306 , H01L 21/52 , H01L 21/301

FI (2件)：

H01L 21/306 B , H01L 21/78 L

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