電力増幅器

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-123800
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358543
出願日： 1995年03月07日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【目的】動作バイアス点が可変な電力増幅器を提供する。【構成】 MMIC110は、二段のFET112、113と3箇所の整合回路部111、113、115と2箇所のゲートバイアス抵抗器116、117を集積している。ドレインバイアス回路部101とゲートバイアス回路部102は実装基板100上に形成され、それぞれドレイン電圧供給端子121、122及びゲート電圧供給端子123、124に接続される。信号は信号入力端子126より入力され、信号出力端子127より出力される。動作バイアス点は、ゲートバイアス回路部102中の可変抵抗器を利用した抵抗分割によってゲートバイアスを印加することによって調整できる。

請求項（抜粋）：

能動素子及び受動素子を一体的に形成した集積回路と、上記集積回路を実装するための基板とを備えた電力増幅器において、上記集積回路内に設けられたゲート電極,ドレイン電極及びソース電極からなり高周波信号を増幅するための少なくとも1つの増幅用FETと、上記集積回路内に設けられ上記増幅用FETのゲート電極に電圧を供給するためのゲート電圧供給端子と、上記集積回路外の基板上に設けられた第1,第2ゲート電源部と、上記ゲート電圧供給端子と上記第1,第2ゲート電源部との間にそれぞれ介設された第1,第2抵抗部材とを備え、上記2つの抵抗部材のうち少なくとも上記第2抵抗部材は、上記集積回路外の基板上に設けられた可変抵抗器であり、該可変抵抗器の抵抗値の変更による上記増幅用FETの動作バイアス点の変更が可能に構成されており、上記増幅用FETのゲート電極と上記ゲート電圧供給端子との間には、固定抵抗器が介設されていることを特徴とする電力増幅器。

IPC (7件)：

H03F 3/213 , H01L 21/338 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 27/095 , H01L 29/812 , H03F 3/195

FI (5件)：

H03F 3/213 , H03F 3/195 , H01L 29/80 E , H01L 29/80 R , H01L 27/04 A

Fターム (52件)：

5F038AZ01 , 5F038AZ04 , 5F038CA02 , 5F038CA10 , 5F038DF02 , 5F038EZ20 , 5F102GA01 , 5F102GA15 , 5F102GA16 , 5F102GA17 , 5F102GA18 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GS09 , 5J091AA01 , 5J091AA41 , 5J091CA14 , 5J091CA81 , 5J091FA10 , 5J091HA09 , 5J091HA25 , 5J091HA26 , 5J091HA29 , 5J091HA33 , 5J091KA12 , 5J091KA29 , 5J091KA66 , 5J091MA08 , 5J091QA03 , 5J091QA04 , 5J091TA01 , 5J091UW08 , 5J092AA01 , 5J092AA41 , 5J092CA14 , 5J092CA81 , 5J092FA10 , 5J092HA09 , 5J092HA25 , 5J092HA26 , 5J092HA29 , 5J092HA33 , 5J092KA12 , 5J092KA29 , 5J092KA66 , 5J092MA08 , 5J092QA03 , 5J092QA04 , 5J092TA01 , 5J092VL08

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-090707
特開平4-313905
特公平5-053321

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