特許
J-GLOBAL ID：200903098637177937
ICチップの接続構造およびその方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-035813
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206221
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 ICチップの電極のピッチがより一層微細であっても、相隣接する半田バンプ間で短絡が発生しないようにする。【構成】 ICチップ21は電極23下に低融点の半田層29を備えている。配線基板31は接続パッド33上に樽状半田部36aと円錐状半田部36bとからなる高融点の半田バンプ36を備えている。そして、半田層29は溶融するが半田バンプ36は溶融しない加熱温度で熱圧着すると、樽状半田部36aは横方向につぶれないが、円錐状半田部36bが半田層29を介して金属バンプ28によって適宜に押しつぶされる。したがって、半田バンプ36が全体として横方向に広がることがなく、このためICチップ21の電極23のピッチが100〜150μm程度とより一層微細であっても、相隣接する半田バンプ36間で短絡が発生しないようにすることができる。
請求項（抜粋）：
金属バンプ上に半田層を有するICチップと、接続パッド上に前記半田層より融点の高い半田バンプを有する配線基板とを備え、前記ICチップの前記半田層を前記配線基板の前記半田バンプに熱圧着して接続したことを特徴とするICチップの接続構造。
IPC (2件)：
H01L 21/603
, H01L 21/321
