特許
J-GLOBAL ID：200903098638167374
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-266786
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130216
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】 SiOx 層間絶縁膜に対する密着性に優れ、低抵抗で、しかも極薄のゲート酸化膜の耐圧を良好に維持し得るゲート電極を備えたMOSトランジスタを提供する。【構成】 化学量論組成よりもSi含有量の高いWSix 膜(ただし、x≧2.8)をパターニングしてなるゲート電極4G の表層部に、SALICIDE法でTiSix 膜8G を形成する。上記WSix 膜は、WF6 のジクロロシラン還元CVD法、あるいはシラン還元CVD法とフッ素引き抜き処理との組み合わせにより成膜する。このWSix 膜に不純物を導入して、ゲート電極4G の仕事関数を制御しても良い。【効果】 従来のポリサイド膜あるいはポリシリコン/TiSix 積層体よりなるゲート電極に比べ、高速動作、高集積化に適するゲート電極が低コストで形成できる。
請求項（抜粋）：
少なくとも2種類の高融点金属シリサイド膜からなる積層膜がパターニングされてなる配線パターンを有する半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
, H01L 21/285
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 29/78
H01L 21/88 R
, H01L 27/08 321 F
, H01L 29/78 301 G
