特許
J-GLOBAL ID：200903098641128274
透明導電膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-151216
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017268
出願日： 1994年07月01日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 ITM又はITOターゲットを用いて樹脂基板上に連続成膜した場合、ターゲット表面に発生する黒色突起について、その発生を防止することによって膜形成速度の変動及び膜比抵抗の劣化を抑制し、高品質なITO透明導電膜の安定かつ効率の高い連続製造方法を提供すること。【構成】 インジウム-錫ターゲット又はインジウム-錫酸化物ターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタリング法による透明導電膜の製造方法において、該スパッタリングの導入ガスとしてアルゴン及び酸素に加えて、分圧2〜8×10-3Paの水蒸気を用い、ポリエーテルスルホン又はポリエチレンテレフタレート基板上に連続成膜することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
請求項（抜粋）：
インジウム-錫ターゲット又はインジウム-錫酸化物ターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタリング法による透明導電膜の製造方法において、該スパッタリングの導入ガスとしてアルゴン及び酸素に加えて、分圧2〜8×10-3Paの水蒸気を用い、ポリエーテルスルホン又はポリエチレンテレフタレート基板上に連続成膜することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01B 13/00 503
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, B32B 9/00
, B32B 15/04
