特許
J-GLOBAL ID：200903098641327340
半導体の研磨機、研磨台及び研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-206781
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211676
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェーハのエッジの望ましくない細片化を阻止する。【構成】 本発明は、研磨表面19の部分17及び18が除去された研磨表面19を有する研磨台14に関するものである。除去された領域17及び18は、研磨台14の外縁15及び内縁16の付近にある環状リングである。非研磨表面18及び19は研磨表面19から下方に向けテーパー17a及び18aを有している。
請求項（抜粋）：
中央部及び周囲エッジを有する半導体ウェーハを研磨するための研磨台であって、外周縁、内周縁、及び前記外内周縁の中間に位置してなる各対向側面を有する与えられた厚さの中央領域を有する環状リング部材、前記外内周縁の縁にそれぞれ位置し、前記厚さにおいて第1及び第2の局部的な減少を与えるために除去された前記研磨表面の第1及び第2の部分を除き、乱されていない平らな平面の研磨表面を規定する前記各側面の少なくとも一つを含み、厚さにおける前記第1及び第2の減少が、前記研磨表面内にて各非研磨ブレーク(break) を確立し、そして前記研磨表面の周りに十分に支持された位置にてサイクロイド状に移動されるウェーハの周囲エッジが、そのウェーハの中央部が前記各ブレークと出くわすよりもより多く前記各ブレークと出くわすように、前記各ブレークが必要な大きさにされそして形成されている研磨台。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 37/04
