特許
J-GLOBAL ID：200903098643257985
可変周波数発振装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-162610
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345637
出願日： 2000年05月31日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 出力信号の発振周波数を決定する容量成分には、電圧依存型可変容量だけでなく電界効果トランジスタの寄生容量が含まれ、バックゲート端子を接地しているため、寄生容量は可変できず出力信号の周波数の可変範囲が回路から計算される値より低下する。【解決手段】 電界効果トランジスタ10,11のバックゲート端子を第2の周波数調整端子7bとし、電圧依存型可変容量素子5,6に接続された第1の周波数調整端子7aとの独立あるいは連動して変化させることで、電圧依存型可変容量素子の容量値だけでなく、電界効果トランジスタの寄生容量値も可変させ、出力信号の周波数可変範囲を向上する。
請求項（抜粋）：
第1の電界効果トランジスタのゲート端子と第2の電界効果トランジスタのドレイン端子が結合し、前記第2の電界効果トランジスタのゲート端子と前記第1の電界効果トランジスタのドレイン端子が結合し、前記第1の電界効果トランジスタのドレイン端子に第1のコイルと第1の電圧依存型可変容量素子の陰極が接続され、前記第1のコイルの他端には電源電圧と第2のコイルが接続され、前記第2のコイルの他端には前記第2の電界効果トランジスタのドレイン端子が接続され、前記第1の電圧依存型可変容量素子の陽極は第1の周波数調整端子と第2の電圧依存型可変容量素子の陽極に接続され、前記第2の電圧依存型可変容量素子の陰極は前記第2の電界効果トランジスタのドレイン端子に接続され、前記第1及び第2の電界効果トランジスタの各バックゲート端子は第2の周波数調整端子にそれぞれ接続されていることを特徴とする可変周波数発振装置。
FI (2件)：
H03B 5/12 B
, H03B 5/12 G
5J081AA02
, 5J081BB01
, 5J081BB10
, 5J081CC07
, 5J081DD04
, 5J081DD11
, 5J081DD24
, 5J081EE02
, 5J081EE18
, 5J081FF09
, 5J081KK02
, 5J081KK09
, 5J081KK22
, 5J081LL07
, 5J081MM01
