特許

J-GLOBAL ID：200903098645452920

半導体集積回路装置の製造方法およびドライエッチング装置

発明者： 黒米 松夫 ,  鳥居 善三 ,  斉藤 敏男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-279927
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129597
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 積層配線を加工するドライエッチング装置の小型化を実現するとともに、積層配線の加工工程のスループットを向上する。【解決手段】 半導体基板1を80〜120°Cに加熱し、BCl3 +Cl2 混合ガスからなる1種類のエッチングガスを用いたドライエッチング法によって、半導体基板1上に堆積された積層配線を構成する上層高融点金属膜14、AlSiCu膜13および下層高融点金属膜12を、エッチング速度を低下させることなく順次連続して加工する。

請求項（抜粋）：

高融点金属膜を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、半導体基板を80〜120°Cの温度に加熱し、BCl3 +Cl2 混合ガスをエッチングガスに用いたドライエッチング法で、前記高融点金属膜を加工する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C