特許

J-GLOBAL ID：200903098645590010

ナノ構造化されたパターン製造方法

発明者： ラメシュ・ジャガナサン ,  ユアンチャオ・ラオ ,  シャン-ドン・ミー
出願人/特許権者： ローム アンド ハース デンマーク ファイナンス エーエス
代理人 (1件)： 特許業務法人センダ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-210080
公開番号（公開出願番号）：特開2008-149447
出願日： 2007年08月10日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：

【課題】本発明は、基体上のナノ構造化パターンの形成方法に関する。【解決手段】これらの工程は、基体を供給する工程、およびこの基体を機能性材料でコーティングして、機能性材料層を形成する工程を含む。少なくともAポリマー鎖およびBポリマー鎖のブロックコポリマーが、この機能性材料層上へコーティングされて、1つの層を形成する。このブロックコポリマーが乾燥されて、秩序あるナノドメインを形成する。乾燥されたブロックコポリマーのAポリマー鎖が除去されて空隙を形成し、機能性材料はついで、Aポリマー鎖が除去された場所から除去される。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基体上のナノ構造化されたパターンの形成方法であって、 基体を供給する工程; 前記基体を機能性材料でコーティングして、機能性材料の層を形成する工程; 前記機能性材料の層を、少なくともAポリマー鎖およびBポリマー鎖のブロックコポリマーでコーティングする工程; 前記ブロックコポリマーを乾燥して、秩序あるナノドメインを形成する工程; 乾燥されたブロックコポリマーのAポリマー鎖を除去して、空隙を形成する工程;および Aポリマー鎖が除去された場所から機能性材料を除去する工程: を含む方法。

IPC (2件)：

B82B 3/00 ,  G02B 5/30

FI (2件)：

B82B3/00 ,  G02B5/30

Fターム (6件)：

2H049BA02 ,  2H049BA05 ,  2H049BA45 ,  2H049BB42 ,  2H049BC01 ,  2H049BC08

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許出願公開番号2006/0061862号明細書
  
• 米国特許第4,688,897号明細書
  
• 米国特許第4,514,479号明細書
  
• 米国特許第4,049,944号明細書