特許

J-GLOBAL ID：200903098654466497

スパッタリング電極

発明者： 山西 斉 ,  青倉 勇 ,  末光 敏行 ,  滝澤 貴博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-153234
公開番号（公開出願番号）：特開平7-011440
出願日： 1993年06月24日
公開日（公表日）： 1995年01月13日
要約：

【要約】【目的】 形成される薄膜の基板面内、バッチ間における膜厚および膜質の均一性の向上、ターゲットの利用効率向上を図るとともに、強磁性体ターゲットの高速かつ効率的なスパッタリングを行い得るスパッタリング電極の提供を目的とする。【構成】 矩形ターゲット1を有し、このターゲット1の表面に対して平行に磁力線16が通るように磁石18を配置したスパッタリング電極であって、磁力線16の方向を180度変更可能にする手段17を備えスパッタリング中、磁気回路15の極性の反転を繰り返すことにより、磁場と電場による電子の螺旋運動19が一方向に限られてしまうことがないため、プラズマの不均一性が相殺され、その結果、形成される薄膜の基板面内、バッチ間における膜厚および膜質の均一性が向上する。

請求項（抜粋）：

矩形平板ターゲットを有し、前記矩形平板ターゲットの表面を平行に磁力線が通るように磁石を配置したスパッタリング電極において、前記矩形平板ターゲットの表面を平行に通る磁力線の方向を180度変更するために、前記磁石の極性を反転する手段を備えたことを特徴とするスパッタリング電極。