特許

J-GLOBAL ID：200903098660352592

マルチチップモジュール

発明者： 山田 宏治 ,  関根 健治 ,  山下 喜市 ,  福島 喜久男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056443
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252407
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 埋め込み絶縁層の表面の平坦性を向上させ、信頼性を向上させたマルチチップモジュールを提供する。【解決手段】 片面に複数個の凹部が設けられ、導電性を有するベース基板(10)と、前記ベース基板の複数個の凹部内に、回路形成面を上にして搭載される少なくとも1個の半導体チップ(11)と、前記少なくとも1個の半導体チップを覆って、前記ベース基板の複数個の凹部内に設けられる多数のフィラーが充填される埋め込み絶縁層(12)とを有するマルチチップモジュールであって、前記埋め込み絶縁層に充填されるフィラーの直径が30μm以下である。また、前記埋め込み絶縁層上に形成される第1の層間絶縁層(13)の厚さが2.2μm以上であり、この第1の層間絶縁層上には薄膜受動素子が形成される。

請求項（抜粋）：

片面に複数個の凹部が設けられ、導電性を有するベース基板と、前記ベース基板の複数個の凹部内に、回路形成面を上にして搭載される少なくとも1個の半導体チップと、前記少なくとも1個の半導体チップを覆って、前記ベース基板の複数個の凹部内に設けられる多数のフィラーが充填される埋め込み絶縁層とを有するマルチチップモジュールであって、前記埋め込み絶縁層に充填されるフィラーは、その直径が30μm以下であることを特徴とするマルチチップモジュール。

IPC (3件)：

H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/00

FI (2件)：

H01L 25/04 Z ,  H01L 25/00 B