特許

J-GLOBAL ID：200903098662803320

コンタクトプラグ及びその形成方法

発明者： 門村 新吾 ,  宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-151004
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343537
出願日： 1992年06月11日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 ブランケット-W膜をエッチバックした際にリセスの生じないコンタクトプラグを得る。【構成】 バリアメタル14をTi/TiON膜で構成し、TiON中の酸素含有率を12〜25原子%とすることにより、ブランケット-W膜15のエッチバックに伴なうリセスの発生が防止される。また、上記酸素含有率とすることにより、オーミックコンタクトもとることができる。

請求項（抜粋）：

コンタクトホール内壁に沿って形成されたチタンオキシナイトライド(TiON)を含むバリアメタル層と、前記コンタクトホール内に充填されたブランケット-タングステン(W)膜とから成るコンタクトプラグにおいて、前記チタンオキシナイトライド中の酸素(O)含有を12〜25原子%としたことを特徴とするコンタクトプラグ。

IPC (3件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/302