特許

J-GLOBAL ID：200903098664415670

スイッチング電源回路

発明者： 中田 英治
出願人/特許権者： ファナック株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-289995
公開番号（公開出願番号）：特開平6-141542
出願日： 1992年10月28日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 安定化電源装置のスイッチング電源回路に関し、高速にスイッチングを行うとともに導通損による損失を低減する。【構成】 入力端子T11はトランスTRの一次側端子の一端に接続され、トランスTRの一次側端子の他端は電界効果トランジスタQ1のドレイン側に接続され、さらに電界効果トランジスタQ1のソース側は入力端子T12に接続される。入力端子T11と入力端子T12との間にはコンデンサCが並列に接続される。トランスTRの一次側端子の他端と入力端子T12との間には、電界効果トランジスタQ1に並列して絶縁ゲートバイポーラモードトランジスタQ2が接続される。この絶縁ゲートバイポーラモードトランジスタQ2のコレクタ端子はトランスTRの一次側端子の他端に、エミッタ端子は入力端子T12に、それぞれ接続される。

請求項（抜粋）：

直流電圧をPWM(Pulse Width Modulation;パルス幅変調)信号に従って変圧して出力するスイッチング電源回路において、PWM信号を出力するパルス幅制御回路と、前記PWM信号を所定の時間だけ遅延させた遅延信号を出力するディレイ回路と、前記PWM信号と前記遅延信号との論理積をとり、スイッチング信号として出力する論理積回路と、前記遅延信号を受けて直流電圧を断続する電界効果トランジスタ(FET;Field Effect Transistor)と、前記電界効果トランジスタと並列に接続され、前記スイッチング信号を受けて前記直流電圧を断続する絶縁ゲートバイポーラモードトランジスタ(IGBT;Insulated Gate Bipolar mode Transistor)と、を有することを特徴とするスイッチング電源回路。