特許

J-GLOBAL ID：200903098673085305

HEMT

発明者： 遠藤 聡
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-394074
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198516
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】 HEMTに関し、従来のスケーリング則と無関係に微細化することが可能な構造をもつHEMTを容易に実現できるようにする。【解決手段】 基板10面に対して縦方向に延びる縦型細線状半導体チャネル層12と、縦型細線状半導体チャネル層12を構成する半導体であるInAsに比較して伝導帯のエネルギの底が高く且つ不純物がドーピングされた半導体であるn型ドーピングGaAsで構成されて縦型細線状半導体チャネル層12を囲むキャリア供給層13と、縦型細線状半導体チャネル層12の一端側と他端側に形成されてキャリアを流すソース電極21及びドレイン電極22と、縦型細線状半導体チャネル層12を囲むキャリア供給層13上に形成されて縦型細線状半導体チャネル層12を流れるキャリアの量を制御するゲート電極23とを備える。

請求項（抜粋）：

基板面に対して縦方向に延びる縦型細線状半導体チャネル層と、該縦型細線状半導体チャネル層を構成する半導体に比較して伝導帯のエネルギの底が高く且つ不純物がドーピングされた半導体で構成されて該縦型細線状半導体チャネル層を囲むキャリア供給層と、該縦型細線状半導体チャネル層の一端側と他端側に形成されてキャリアを流すソース電極及びドレイン電極と、該縦型細線状半導体チャネル層を囲むキャリア供給層上に形成されて該縦型細線状半導体チャネル層を流れるキャリアの量を制御するゲート電極とを備えてなることを特徴とするHEMT。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/80

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 V

Fターム (8件)：

5F102GB04 ,  5F102GC03 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL00 ,  5F102GQ05 ,  5F102GQ10 ,  5F102HC01