不揮発性半導体メモリ素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-156400
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034814
出願日： 2007年06月13日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

【課題】不揮発性半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に形成され、遷移金属がドーピングされた誘電膜を含む電荷トラップ層と、電荷トラップ層上に形成されたブロッキング絶縁膜と、ブロッキング絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ素子である。ここで、誘電膜は、HfO2膜のような高誘電膜であることが望ましい。これにより、高誘電膜内に遷移金属をドーピングして深いトラップを形成させるため、不揮発性半導体メモリ素子のリテンション特性を改善しうる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に形成され、遷移金属がドーピングされた誘電膜を含む電荷トラップ層と、前記電荷トラップ層上に形成されたブロッキング絶縁膜と、前記ブロッキング絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434

Fターム (11件)：

5F083EP17 , 5F083EP23 , 5F083EP49 , 5F083JA02 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F101BA44 , 5F101BA47 , 5F101BB02 , 5F101BD02 , 5F101BF02

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