特許

J-GLOBAL ID：200903098682530680

高融点はんだバンプ形成方法及び半導体装置

発明者： 米田 吉弘
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-255225
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125322
出願日： 1994年10月20日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 本発明は高融点はんだバンプ形成方法に関し、高品質の高融点はんだバンプを形成することを目的とする。【構成】 低融点はんだペースト層42が形成してある回路基板40のパッド41上に、高融点はんだボール43を搭載する工程30と、200°C程度に加熱して、低融点はんだのフィレット45によって高融点はんだボールをパッド上に仮付けする低温加熱工程31と、フラックス残渣46を除去する洗浄工程32と、水素炉47内において330°C程度に加熱してフィレットの低融点はんだと、ボールの高融点はんだとが溶融し合った組成のはんだよりなるバンプ48を形成する高温加熱工程33とを有する構成とする。

請求項（抜粋）：

低融点はんだペースト層が形成してある回路基板のパッド上に、高融点はんだ小片を搭載する工程と、低融点はんだの融点より高く高融点はんだの融点より低い温度であって且つフラックスが焼き付かない温度に加熱して、低融点はんだのフィレットによって高融点はんだ小片をパッド上に仮付けする低温加熱工程と、上記回路基板を清掃してフラックス残渣を除去する洗浄工程と、還元雰囲気中において上記高融点はんだの融点より高い温度に加熱して、フィレットの低融点はんだと小片の高融点はんだとが溶融し合った組成のはんだよりなるバンプを形成する高温加熱工程とよりなる構成としたことを特徴とする高融点はんだバンプの形成方法。

IPC (4件)：

H05K 3/34 505 ,  B23K 3/06 ,  H01L 21/321 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/92 604 H ,  H01L 23/12 L