特許
J-GLOBAL ID：200903098684977550
シリコン半導体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-268468
公開番号（公開出願番号）：特開平7-126004
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1995年05月16日
要約：
【要約】【目的】切断工程を簡略化して低コスト化を図れるシリコン半導体の製造方法を提供することにある。【構成】 鋳型4内に予めシリコンインゴット15に合わせた仕切り部材14を入れておき、シリコンの凝固後に仕切り部材14を取り除いてシリコンインゴット15を得ることを特徴とする。また、仕切り部材14の材料として、導電性を有しシリコン材料に対して濡れ性が悪く、且つ高融点の材料を使用してなることを特徴とする。具体的には、例えば、タンタル、モリブデン、タングステンのいづれかを使用する。
請求項（抜粋）：
加熱融解したシリコン半導体材料を鋳型内に鋳込んだ後、凝固させ、該シリコンを鋳型より取り出し切断してシリコンインゴットを得るシリコン半導体の製造方法において、前記鋳型内に予めシリコンインゴットに合わせた仕切り部材を入れておき、前記シリコンの凝固後に前記仕切り部材を取り除いてシリコンインゴットを得ることを特徴とするシリコン半導体の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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