特許

J-GLOBAL ID：200903098687908193

容量素子の形成方法

発明者： 山本 一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-320583
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150793
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 下部電極のHSG中に高濃度でドーパントを安定して注入できるようにすることにより、大きな静電容量を有する微小容量素子を形成する方法を提供する。【解決手段】 本方法は、下部電極にHSG化処理を施した後、下部電極のHSG表面にシリコンの水素終端処理を施す水素終端処理ステップと、水素終端処理ステップを経た下部電極に、シリコンに対する非反応性のドーパントガス雰囲気の熱処理炉内で600°C以上800°C以下の温度範囲の温度で熱処理を施す熱処理ステップとを備えている。そして、水素終端処理ステップの後、熱処理ステップに移行するため、水素終端処理ステップを経た半導体基板を熱処理炉内に送入する際、熱処理炉の半導体基板入口及びその近傍領域の炉内温度を450°C未満に維持し、かつ半導体基板を不活性雰囲気内に保持しつつ不活性雰囲気の熱処理炉内に送入する。

請求項（抜粋）：

アモルファスシリコン膜をHSG化処理によりHSGを形成し、前記HSGに不純物を導入して容量素子を形成する容量素子の形成方法において、前記不純物の導入の前に前記HSGの表面に酸化阻止処理を施すことを特徴とする容量素子の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B

Fターム (14件)：

5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC14 ,  5F038AC16 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD22 ,  5F083AD62 ,  5F083JA19 ,  5F083PR33