特許
J-GLOBAL ID：200903098688464930
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-131358
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321116
出願日： 1994年05月19日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】フリップチップにおいて、水素脆化によるバンプ電極の機械的強度の劣化を防止することであり、それによってバンプ電極の根元径をより微細化したフリップチップタイプの半導体装置を提供する。【構成】バリアメタル11として、窒化チタン(TiN) という、絶縁膜4と密着性が高く、水素脆化がない材料を用いることで、バンプ電極20の根元の下地部分が劣化することがなく、バンプ電極の根元径を従来より小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
フリップチップ上に形成した機能素子と外部基板とのコンタクトをとるためのバンプ電極を有する半導体装置において、フリップチップ表面の絶縁膜に設けられたコンタクトホールと、該コンタクトホールの底に形成された金属膜と、該金属膜上に、前記バンプ電極の形成層の下部にバリア層として形成された窒化チタン(TiN) 層と、前記窒化チタン(TiN) 層の上に設けられた、バンプ成長用下地膜と、前記パンプ成長用下地膜上にホトレジストの開口部を設けて成長させ、後に該ホトレジストを除去することで形成される金属製のバンプ電極とからなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/28 301
