特許
J-GLOBAL ID:200903098689148480

親媒性加工を用いるバイオアッセイ用基板の製造方法及びバイオアッセイ用基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡邊 薫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-346925
公開番号(公開出願番号):特開2005-114468
出願日: 2003年10月06日
公開日(公表日): 2005年04月28日
要約:
【課題】 試料のロスが少なく、ハイブリダイゼーション等の相互作用を効率的に行うことができるバイオアッセイ用基板を製造する方法を提供すること。ハイブリダイゼーション等の相互作用を効率的に起こし、相互作用の検出精度を高めたバイオアッセイ用基板を提供すること。 【解決手段】 物質間の相互作用の場を提供できる反応領域が形成された基板に、次の(1)から(3)の工程を組み合わせて加工することによって、相互作用を検出するバイオアッセイ用基板を製造する方法及び該製造方法により製造されたバイオアッセイ用基板を提供する。(1)基板表面を疎水性物質で処理して疎水面を形成する疎水化工程。(2)疎水面の一部を親水面に変換する親水化工程。(3)前記親水面又は前記疎水面に検出用物質を固定化して、前記反応領域中に検出用表面を形成する検出用表面形成工程。 【選択図】 図7
請求項(抜粋):
物質間の相互作用の場を提供できる反応領域が形成された基板に、次の(1)から(3)の工程を組み合わせて加工することによって、前記相互作用を検出するバイオアッセイ用基板を製造する方法。 (1)基板表面を疎水性物質で処理して疎水面を形成する疎水化工程。 (2)疎水面の一部を親水面に変換する親水化工程。 (3)前記親水面又は前記疎水面に検出用物質を固定化して、前記反応領域中に検出用表面を形成する検出用表面形成工程。
IPC (4件):
G01N33/566 ,  C12N15/09 ,  C12Q1/68 ,  G01N33/53
FI (4件):
G01N33/566 ,  C12Q1/68 A ,  G01N33/53 M ,  C12N15/00 F
Fターム (15件):
4B024AA11 ,  4B024CA01 ,  4B024CA11 ,  4B024HA12 ,  4B024HA19 ,  4B063QA13 ,  4B063QQ42 ,  4B063QQ52 ,  4B063QR32 ,  4B063QR35 ,  4B063QR84 ,  4B063QS02 ,  4B063QS15 ,  4B063QS34 ,  4B063QS39
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (7件)
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