薄膜形成装置および薄膜形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-016711
公開番号（公開出願番号）：特開2002-220657
出願日： 2001年01月25日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】基材に対する密着性に優れた薄膜を形成することができる薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供する。【解決手段】チャンバ11内の上部において、基材10が基材保持部2に保持されており、その下部に蒸発源20が配置されている。基材保持部材2には高周波電圧が印加されており、基材保持部材2と蒸発源20のボート1との間には、ボート1側を陽極として直流電圧が印加されている。チャンバ11には、不活性ガスまたは反応性ガスが流量制御装置24を介して供給される。このガス供給量は、チャンバ11内の真空度が一定値に保持されるように、制御装置30によって制御される。薄膜形成の初期段階には、蒸発源20からの蒸発物が少ないので、ガス供給量が多いが、蒸発源20からの蒸発物がチャンバ11内に充満するに従って、ガス供給量は少なくなる。

請求項（抜粋）：

薄膜形成処理が行われるチャンバと、導電性部材からなり、上記チャンバ内において表面に薄膜を形成すべき基材を保持する基材保持手段と、この基材保持手段に高周波電力を供給する高周波電力供給電源と、上記チャンバ内に配置され、薄膜の原料となる蒸発材料を保持するボート、およびこのボートを加熱する加熱手段を備えた蒸発源と、プラズマを生成させるためのガスを上記チャンバ内に供給するガス供給手段と、上記ガス供給手段による上記チャンバへのガスの供給量を、上記基材に薄膜を形成する薄膜形成処理の初期よりも、その後の期間の方が少なくなるように制御するガス供給量制御手段とを含むことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3件)：

C23C 14/32 , B01J 19/08 , H05H 1/46

FI (3件)：

C23C 14/32 E , B01J 19/08 H , H05H 1/46 A

Fターム (22件)：

4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075AA62 , 4G075AA63 , 4G075BB02 , 4G075BC03 , 4G075CA05 , 4G075CA47 , 4G075CA51 , 4G075FC11 , 4K029AA11 , 4K029AA25 , 4K029CA03 , 4K029CA13 , 4K029DA01 , 4K029DB03 , 4K029DB05 , 4K029DD02 , 4K029EA03 , 4K029EA04 , 4K029EA08 , 4K029JA10

引用特許：

審査官引用 (6件)

成膜方法、真空成膜装置の制御装置、及び真空成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-006231 出願人：新明和工業株式会社
特開昭52-147579
特開昭51-146183

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