特許

J-GLOBAL ID：200903098691121530

突起電極の製造方法

発明者： 大原 務 ,  石綿 修一 ,  小村 敦
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132513
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321634
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 突起電極製造工程にあって、電極パッド部分の清浄化のために行うスパッタリングによるドライエッチングは、ポリイミド表面にダメージを与え、隣接突起電極間の絶縁性を極端に低下させてしまう。【解決手段】 スパッタリングによるドライエッチングを行う前に、電極パッド13部分を除いてポリイミド上全面に保護膜15を形成し、ドライエッチングがポリイミド全面に行われ、ポリイミド表面がダメージを受けることをを防ぐ。

請求項（抜粋）：

電極パッドを設けた半導体基板全面に感光性ポリイミドを形成する工程と、フォトリソグラフィにより電極パッド上の感光性ポリイミドを除去する工程と、半導体基板全面に保護膜を形成する工程と、フォトリソグラフィとエッチングにより電極パッド上の保護膜を除去する工程と、電極パッド上および保護膜全面にスパッタリング法によるドライエッチングを行う工程と、保護膜を除去する工程と、アンダーバンプメタルを形成する工程を有することを特徴とする突起電極の製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/92 604 S ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 B