特許
J-GLOBAL ID：200903098693890034
半導体センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-085700
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273352
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 段差部を複数の段差に分けて形成したことにより、あるいは、段差部を傾斜面で形成することにより、深い凹部に導電性膜を形成する時に、導電性膜が断線することを防止できる半導体センサを提供する。【構成】 重り部5を備えたシリコン基板1と、シリコン基板1の上,下側に固定される接合部材7,8とからなり、重り部5の変位により外力を検知する半導体センサ18である。接合部材7,8のシリコン基板1と対向する内面に段差部22と半導体センサ18の外部に電気的に接続される導電性膜19とを備え、この段差部22を複数の段差24にて形成した。
請求項（抜粋）：
重り部を備えたシリコン基板と、前記シリコン基板の上,下側の少なくとも一方に固定される接合部材とからなり、前記重り部の変位により外力を検知する半導体センサにおいて、前記接合部材の前記シリコン基板と対向する内面に、段差部と前記半導体センサの外部に電気的に接続される導電性膜とを備え、前記段差部を複数の段差にて形成したことを特徴とする半導体センサ。
IPC (2件)：
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