特許

J-GLOBAL ID：200903098695051854

表面清浄化方法

発明者： 小川 太郎 ,  斉藤 昭男 ,  伊東 昌昭 ,  斉藤 徳郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-001100
公開番号（公開出願番号）：特開平9-190993
出願日： 1996年01月09日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】 Si等の基板表面から有機物の汚染を低温かつ真空チャンバ中で除去し、清浄な表面を得る。また、有機物の汚染のない清浄なSi等の半導体基板表面を簡便かつ高いスループットで得る。【解決手段】 基板上に真空、減圧乃至は不活性雰囲気中で、基板又は基板に吸着した汚染に含まれる電子を遷移させ、基板と汚染との反結合状態を励起させるのに等しいエネルギーの紫外線、X線、電子線等のエネルギー線を照射し、これによって汚染を基板から脱離させて除去する表面清浄化方法である。

請求項（抜粋）：

基板上に真空、減圧乃至は不活性雰囲気中で、基板又は基板に吸着した汚染に含まれる電子を遷移させ、基板と汚染との反結合状態を励起させるのに等しいエネルギーの紫外線、X線、電子線等のエネルギー線を照射し、これによって汚染を基板から脱離させて除去することを特徴とする表面清浄化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭54-148590