特許
J-GLOBAL ID：200903098696615875
露光用マスク及びパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-313698
公開番号（公開出願番号）：特開平6-095364
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】被加工基板上に基板面に対して垂直方向の凹凸が存在する場合も、良好なパターン形成を行うことができる露光用マスク、及びパターン形成方法を提供すること。【構成】被加工半導体基板表面の開口部による垂直方向の凹凸部の位置に合わせて、マスクパターン1に、レジストのポジ/ネガ特性に応じてパターン形状の補正用切れ込み部2あるいは出張り部を形成したことを特徴とする露光用マスク、及びこの露光用マスクを用いたパターン形成方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に開口部を形成し、該半導体基板の表面に薄膜を堆積後レジストを形成しパターニングを行う工程に用いる露光用マスクにおいて、該半導体基板表面の開口部による垂直方向の凹凸部の位置に合わせて、マスクパターンに、レジストのポジ/ネガ特性に応じてパターン形状の補正用切れ込み部あるいは出張り部を形成したことを特徴とする露光用マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
